silane chemical vapor deposition

silane chemical vapor deposition
cheminis nusodinimas iš silano garų statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silane chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Silan-Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы силана, n pranc. dépôt chimique en phase vapeur de silane, m

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужно сделать НИР?

Look at other dictionaries:

  • Chemical vapor deposition — DC plasma (violet) enhances the growth of carbon nanotubes in this laboratory scale PECVD apparatus. Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process used to produce high purity, high performance solid materials. The process is often used in …   Wikipedia

  • Combustion chemical vapor deposition — (CCVD) is a chemical process by which thin film coatings are deposited onto substrates in the open atmosphere. Contents 1 History 2 Principles and procedure 3 Remote combustion chemical v …   Wikipedia

  • Plasma-enhanced chemical vapor deposition — PECVD machine at LAAS technological facility in Toulouse, France. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a process used to deposit thin films from a gas state (vapor) to a solid state on a substrate. Chemical reactions are involved… …   Wikipedia

  • Silane — This article is about the compound with chemical formula SiH4. For other silicon hydrogen compounds, see Silanes. Silane …   Wikipedia

  • dépôt chimique en phase vapeur de silane — cheminis nusodinimas iš silano garų statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silane chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Silan Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы силана, n pranc. dépôt… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • cheminis nusodinimas iš silano garų — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silane chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Silan Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы силана, n pranc. dépôt chimique en phase vapeur de silane, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • chemische Abscheidung aus der Silan-Gasphase — cheminis nusodinimas iš silano garų statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silane chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Silan Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы силана, n pranc. dépôt… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • химическое осаждение из паровой фазы силана — cheminis nusodinimas iš silano garų statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silane chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Silan Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы силана, n pranc. dépôt… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Semiconductor device fabrication — Semiconductor manufacturing processes 10 µm 1971 3 µm 1975 1.5 µm 1982 …   Wikipedia

  • Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma — Equipement de PECVD. Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d un état gazeux… …   Wikipédia en Français

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”